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STW26N65DM2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STW26N65DM2
廠商型號(hào)

STW26N65DM2

功能描述

N-channel 650 V, 0.156 typ., 20 A, MDmeshTM DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

文件大小

269.25 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 20:56:00

STW26N65DM2規(guī)格書詳情

Features

? Fast-recovery body diode

? Extremely low gate charge and input capacitance

? Low on-resistance

? 100 avalanche tested

? Extremely high dv/dt ruggedness

? Zener-protected

Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh? DM2 fastrecovery

diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined

with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency

converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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