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STW34N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STW34N65M5 |
| 功能描述 | N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | TO-247 |
| 文件大小 |
1.43071 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-3 10:58:00 |
STW34N65M5規(guī)格書詳情
Features
? Worldwide best RDS(on) * area
? Higher VDSS rating and high dv/dt capability
? Excellent switching performance
? 100 avalanche tested
Applications
? Switching applications
Description
These devices are N-channel MDmesh? V
Power MOSFETs based on an innovative
proprietary vertical process technology, which is
combined with STMicroelectronics’ well-known
PowerMESH? horizontal layout structure. The
resulting product has extremely low onresistance, which is unmatched among siliconbased Power MOSFETs, making it especially
suitable for applications which require superior
power density and outstanding efficiency.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STW34N65M5
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
98000 |
詢價 | ||||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
13540 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
TO-247 |
893993 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
RENESAS |
24+ |
SMD |
5 |
C24-電感器 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-247-3 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
60620 |
2800 |
詢價 | ||
ST |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價 | ||||
ST |
22 |
TO-247 |
25000 |
3月31原裝,微信報價 |
詢價 |
