STW38NB20中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STW38NB20規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.
■ TYPICAL RDS(on)= 0.052 ?
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
■ ±30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW INTRINSIC CAPACITANCE
■ GATE CHARGE MINIMIZED
■ REDUCED VOLTAGE SPREAD
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)
■ DC-AC CONVERTER FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STW38NB20
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
PowerMESH™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
TO247 |
93480 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
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ST/意法 |
22+ |
N |
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TO247 |
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STMicroelectronics |
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ST/意法 |
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原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
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ST |
23+ |
TO-247 |
8795 |
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ST |
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