STW4N150中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STW4N150規(guī)格書詳情
Description
Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of very high voltage Power MOSFETs with outstanding performances.
The strengthened layout coupled with the company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.
■ 100 avalanche tested
■ Intrinsic capacitances and Qg minimized
■ High speed switching
■ Fully isolated TO-3PF and TO-220FH plastic packages
■ Creepage distance path is 5.4 mm (typ.) for TO-3PF
■ Creepage distance path is > 4 mm for TO-220FH
Application
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STW4N150
- 功能描述：
MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicro. |
23+ |
TO-247 |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
2023+ |
TO-247-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
2023 |
TO-247-3 |
50000 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單 |
詢價 | ||
ST |
19+ |
TO-247 |
40000 |
深圳現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-247-3 |
6000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
TO-247-3 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
TO-247 |
15000 |
專業(yè)幫助客戶找貨 配單,誠信可靠! |
詢價 | ||
ST |
2020+ |
origina |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
12000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO247-3 |
20000 |
深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價格可談 |
詢價 |
