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STW55NM60ND中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STW55NM60ND
廠商型號

STW55NM60ND
功能描述

N-channel 600 V - 0.047 廓 - 51 A TO-247 FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode)
文件大小

147.76 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-5 23:00:00

STW55NM60ND規(guī)格書詳情

Description

This FDmesh? II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low on-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Features

■ The worldwide best RDS(on) amongst the fast

recovery diode devices in TO-247

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ High dv/dt and avalanche capabilities

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STW55NM60ND

  • 功能描述：

    MOSFET N-channel 600 V FDMesh

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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