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STW56NM60N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.06Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STW56NM60N

N-channel 600 V, 0.05 廓, 45 A TO-247 MDmesh??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

詳細參數(shù)

  • 型號:

    STW56NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 0.05 Ohm 45A MDmesh II FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STW56NM60N供應(yīng)商 更新時間2025-3-30 14:24:00