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STW65N60DM6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

STW65N60DM6
廠商型號(hào)

STW65N60DM6

參數(shù)屬性

STW65N60DM6 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO247

功能描述

N-channel 600 V, 60 m廓 typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in a TO??47 and TO??47 long leads packages
MOSFET N-CH 600V 38A TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

340.49 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 9:20:00

STW65N60DM6規(guī)格書詳情

STW65N60DM6屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STW65N60DM6晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STW65N60DM6

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    MDmesh? DM6

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    38A(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V 38A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
22
TO-247
25000
3月31原裝,微信報(bào)價(jià)
詢價(jià)
ST
24+
TO-247
15000
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低
詢價(jià)
ST(意法)
21+
N/A
4169
全新原裝虧本出
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原廠封裝
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22+
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原裝正品支持實(shí)單
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STMicroelectronics
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