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STW65N60DM6分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
STW65N60DM6 |
參數(shù)屬性 | STW65N60DM6 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO247 |
功能描述 | N-channel 600 V, 60 m廓 typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in a TO??47 and TO??47 long leads packages |
絲印標識 | |
封裝外殼 | TO-247 / TO-247-3 |
文件大小 |
340.49 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-25 20:42:00 |
人工找貨 | STW65N60DM6價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STW65N60DM6規(guī)格書詳情
STW65N60DM6屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STW65N60DM6晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STW65N60DM6
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 系列:
MDmesh? DM6
- 包裝:
管件
- FET 類型:
N 通道
- 技術:
MOSFET(金屬氧化物)
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
38A(Tc)
- 安裝類型:
通孔
- 供應商器件封裝:
TO-247-3
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 描述:
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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