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STW9N150中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STW9N150
廠商型號(hào)

STW9N150

功能描述

N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH? Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

9N150

封裝外殼

TO-247

文件大小

258.99 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-17 15:05:00

STW9N150規(guī)格書詳情

Features

■ 100% avalanche tested

■ Avalanche ruggedness

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitances

■ High speed switching

■ Very low on-resistance

Application

■ Switching applications

Description

Using the well consolidated high voltage MESH

OVERLAY? process, STMicroelectronics has

designed an advanced family of Power MOSFETs

with outstanding performances. The strengthened

layout coupled with the company’s proprietary

edge termination structure, gives the lowest

RDS(on) per area, unrivalled gate charge and

switching characteristics.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STW9N150

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
22+
TO-247
9800
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ST
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ST/意法
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10000
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
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ST/意法
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TO-247
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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STMicroelectronics
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原廠原包裝
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ST
2023
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