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STW9NB80中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STW9NB80
廠商型號(hào)

STW9NB80

功能描述

N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET

文件大小

86.47 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-10 22:51:00

STW9NB80規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

■ TYPICAL RDS(on)= 0.85?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ ±30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STW9NB80

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
23+
NA
20000
全新原裝假一賠十
詢價(jià)
ST
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
ST
0314+
TO-247
1317
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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ST/意法
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
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20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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TO3P
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全新原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)可談
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TO-247
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