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SUP60N06-18-E3

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

詳細參數

  • 型號:

    SUB60N06-18-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 60A 120W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SILICONIX
17+
TO-263
1450
只做原裝正品
詢價
SIL
22+
SOT263
20000
保證原裝正品,假一陪十
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VISHAY/威世
23+
D2PAK(TO-263)
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
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VISHAY/威世
2022
D2PAK(TO-263)
80000
原裝現貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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TO-263
9852
只做原裝正品現貨!或訂貨假一賠十!
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30000
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TO-263
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23+
TO-263
19567
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24+
N/A
6050
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SOT263
22+
6000
十年配單,只做原裝
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更多SUB60N06-18-E3供應商 更新時間2024-11-17 14:26:00