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SUD50P10-43

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-9.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=43mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SUD50P10-43

P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUD50P10-43L-GE3

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUD50P10-43L-TP

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES ?Vds=-100VID=30A @ROSON=40mO@Ves=-10V

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

SUD50P10-43L

P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUD50P10-43L

Marking:DPAK;Package:TO-252;Isc P-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SUD50P10-43L

P-Channel 100-V (D-S) 175 ?C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUD50P10-43L_V01

P-Channel 100-V (D-S) 175 ?C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUD50P10-43L-E3

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SUD50P10-43L-E3

P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SUD50P10-43

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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更多SUD50P10-43供應(yīng)商 更新時間2025-3-14 16:34:00