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SUP60N10-16L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SUP60N10-16L

N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUP60N10-16L

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

SUP60N10-16L_16

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SUP60N10-16

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    N-Channel 100-V(D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SUP60N10-16供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 10:02:00

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