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SUP70N03-09BP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SUP70N03-09BP

N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SUP70N03-09BP-E3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SUB70N03-09BP

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SUB70N03-09BP

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SUB70N03-09BP

N-Channel30-V(D-S),175C,MOSFETPWMOptimized

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SUB70N03-09P

N-Channel30-V(D-S),175C,MOSFETPWMOptimized

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SUB70N03-09P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SUM70N03-09CP

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SUM70N03-09CP

N-Channel30-V(D-S),175-LCMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SUP70N03-09BP

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 70A 93W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SUP70N03-09BP供應商 更新時間2025-2-19 9:58:00

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