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SW2N60	文件：510.09 Kbytes Page：6 Pages	ThispowerMOSFETisproducedinCHMCwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
SW2N60	文件：724.69 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-251,TO-252) GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW2N60	文件：752.89 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-220F,TO-220) GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW2N60D	文件：767.41 Kbytes Page：6 Pages	N-channelI-PAK/D-PAK/TO220FMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW2N60DC	文件：598.73 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-252/TO-251MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
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SWD2N60	文件：1.7777 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SWD2N60	文件：1.08793 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SWF2N60	文件：752.89 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-220F,TO-220) GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
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SWP2N60	文件：752.89 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-220F,TO-220) GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TFF2N60	文件：312.25 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET2A,600V,4.6廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌電子德昌電子（集團）有限公司	TAK_CHEONG
TFF2N60A	文件：303.32 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET2.1A,600V,5.6廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌電子德昌電子（集團）有限公司	TAK_CHEONG
TFP2N60	文件：332.44 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET2.0A,600V,4.6廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌電子德昌電子（集團）有限公司	TAK_CHEONG
TFP2N60A	文件：324.35 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET2.1A,600V,5.6廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌電子德昌電子（集團）有限公司	TAK_CHEONG
TSD2N60M	文件：1.77771 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
TSD2N60M	文件：1.08793 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TSD2N60MZ	文件：1.08795 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TSM2N60	文件：459.79 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60	文件：211.16 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELPOWERENHANCEMENTMODEMOSFET GeneralDescription TheTSM2N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdes	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC

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