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SVF6N70DTR中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SVF6N70DTR
廠商型號(hào)

SVF6N70DTR

功能描述

6A, 700V N-CHANNEL MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

SVF6N70D

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

374.89 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-13 13:51:00

SVF6N70DTR規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

SVF6N70MJG/D/K/N is an N-channel enhancement mode power MOS

field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM

structure VDMOS technology. The improved process and cell structure

have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide

superior switching performance, and withstand high energy pulse in the

avalanche and commutation mode.

These devices are widely used in AC-DC power supplies, DC-DC

converters and H-bridge PWM motor drivers.

FEATURES

? 6A,700V,RDS(on(typ.)=1.35?@VGS=10V

? Low gate charge

? Low Crss

? Fast switching

? Improved dv/dt capability

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOOHONG太虹
23+
NA/
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SILAN/士蘭微
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