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SVSP7N60DD2TR中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SVSP7N60DD2TR
廠商型號

SVSP7N60DD2TR

功能描述

7A, 600V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR

絲印標(biāo)識

P7N60DD2

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

352.34 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 15:13:00

SVSP7N60DD2TR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

SVSP7N60F(FJD)(D)D2 is an N-channel enhancement mode high

voltage power MOSFETs produced using Silan’s super junction MOS

technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It

leads the design engineers to their power converters with high

efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

Furthermore, it’s universal applicable, for example, it is suitable for

hard and soft switching topologies.

FEATURES

? 7A,600V, RDS(on)(typ.)=0.48?@VGS=10V

? New revolutionary high voltage technology

? Ultra low gate charge

? Enhanced avalanche capability

? Extreme dv/dt rated

? High peak current capability

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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