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SVT20120UB	文件：229.42 Kbytes Page：5 Pages	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
SVT20120UB_16	文件：400.07 Kbytes Page：6 Pages	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
SVT20120UB_R2_00001	文件：400.07 Kbytes Page：6 Pages	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
SVT20120UB_R2_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-277，3-PowerDFN 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER	Panjit International Inc. Panjit International Inc.	Panjit International Inc.
U20120DG	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkDoublerPolarityUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
U20120G	文件：349.33 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
U20120GR	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
U20120RG	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
U20120SG	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
UFT20120	文件：231.22 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECOVERYMODULES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UFT20120	文件：219.08 Kbytes Page：4 Pages	UltrafastRecoveryModules	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
V20120C	文件：141.74 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V20120C	文件：130.83 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V20120C	文件：167.06 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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V20120S	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V20120S	文件：141.04 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V20120SG	文件：141.01 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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