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SW50N06中文資料etc未分類制造商數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SW50N06
廠商型號

SW50N06

功能描述

N-Channel MOSFET

文件大小

594.82 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡稱

ETC1etc未分類制造商

中文名稱

未分類制造商

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-14 20:45:00

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SW50N06規(guī)格書詳情

[SEMIPOWER]

General Description

This power MOSFET is produced in CHMC with advanced VDMOS process, planar stripe. This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for half bridge or full bridge resonant topology like a electronic ballast, and also low power switching mode power appliances.

Features

● N-Channel MOSFET

● BVDSS (Minimum) : 60 V

● RDS(ON) (Maximum) : 0.023ohm

● ID : 50 A

● Qg (Typical) : 30 nc

● PD (@TC=25 ) : 130 W

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SW50N06

  • 功能描述:

    N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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