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SW80N04V	文件：804.79 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
80N04	文件：1.26306 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel4-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
ADM80N04Q	文件：568.35 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM80N04QusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司	ADV
ADM80N04Q	文件：568.35 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM80N04QusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司	ADV
ADM80N04Q	文件：568.35 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM80N04QusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司	ADV
CJP80N04	文件：1.45351 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CJP80N04	文件：1.35541 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
HM80N04K	文件：756.79 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
LMAK80N04	文件：900.34 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
NP80N04CHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04CHE	文件：968.7 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04CHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP80N04DHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP80N04DHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP80N04KHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP80N04KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP80N04KHE	文件：1.07393 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
萬(wàn)三科技(深圳)有限公司	SW8-10101110AA13D	L3 NARDA-MITEQ	22+	NA	500000	萬(wàn)三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無(wú)憂(yōu)	詢(xún)價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	SW811	MARCONI	新		39	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)
深圳市星辰微電科技有限公司	SW8205	芯派	24+	SOT23-6	12500	國(guó)產(chǎn)功率器件品牌都有售	詢(xún)價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	SW820G		24+	BGA	2140	全新原裝!現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SW8231A	N/A	23+	SIP-17P	11200	原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO	詢(xún)價(jià)
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更多SW80N04V供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 15:00:00

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