首頁(yè)>SWB068R08ET>規(guī)格書(shū)詳情
SWB068R08ET中文資料芯派科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
廠商型號(hào) |
SWB068R08ET |
功能描述 | N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-263 |
文件大小 |
859.71 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
SEMIPOWER【芯派科技】 |
中文名稱(chēng) | 芯派科技股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-25 18:30:00 |
SWB068R08ET規(guī)格書(shū)詳情
Features
?
High ruggedness
?
Low RDS(ON)(Typ 7.1mΩ)@VGS=10V
?
Low Gate Charge (Typ59nC)
?
Improved dv/dt Capability
?
100 Avalanche Tested
?
Application: Synchronous Rectification,Li Battery Protect Board, Inverter
General Description
This power MOSFET is produced with advanced technology of SAMWIN.
This technology enable the power MOSFET to have better characteristics, including fast
switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche
characteristics.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Samwin(芯派) |
23+ |
TO263 |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢(xún)價(jià) | ||
COILCRAFT |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢(xún)價(jià) | ||
Sage Millmeter |
24+ |
模塊 |
400 |
詢(xún)價(jià) | |||
24+ |
N/A |
73000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) | |||
Samwin(芯派) |
23+ |
TO-263 |
483 |
三極管/MOS管/晶體管 > 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) |
詢(xún)價(jià) | ||
3M |
2022+ |
16 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢(xún)價(jià) | |||
COILCRAFT |
24+ |
con |
2500 |
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存,原裝正品 |
詢(xún)價(jià) |