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SWD065R68E7T中文資料芯派科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SWD065R68E7T
廠商型號(hào)

SWD065R68E7T

功能描述

N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

SW065R68E7T

封裝外殼

TO-252

文件大小

689.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SEMIPOWER芯派科技

中文名稱

芯派科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-26 20:00:00

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SWD065R68E7T規(guī)格書詳情

Features

? High ruggedness

? Low RDS(ON) (Typ 6.3mΩ)@VGS=10V

? Low Gate Charge (Typ 75nC)

? Improved dv/dt Capability

? 100 Avalanche Tested

? Application:Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter

General Description

This power MOSFET is produced with advanced technology of SAMWIN.

This technology enable the power MOSFET to have better characteristics,

including fast switching time, low on resistance, low gate charge and especially

excellent avalanche characteristics.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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