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SWD50N06A中文資料芯派科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SWD50N06A
廠商型號(hào)

SWD50N06A

功能描述

N-channel MOSFET (TO-251 , TO-252)

文件大小

494.04 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SEMIPOWER芯派科技

中文名稱

芯派科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-18 23:00:00

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SWD50N06A規(guī)格書詳情

General Description

This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for half bridge or full bridge resonant topology like a electronic ballast, and also low power switching mode power appliances.

Features

■ High ruggedness

■ RDS(ON) (Max 0.023 ?)@VGS=10V

■ Gate Charge (Typ 30nC)

■ Improved dv/dt Capability

■ 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SWD50N06A

  • 制造商:

    SEMIPOWER

  • 制造商全稱:

    SEMIPOWER

  • 功能描述:

    N-channel MOSFET(TO-251 , TO-252)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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