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SWU6N90	文件：402.49 Kbytes Page：5 Pages	N-channel TO-262 MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
6N90	文件：203.47 Kbytes Page：5 Pages	6.2A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N90	文件：180.79 Kbytes Page：6 Pages	6.2Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N90isanN-channelenhancementmodePowerFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimum on-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseinthe	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N90	文件：403.88 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
6N90C	文件：789.54 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
6N90Z	文件：251.69 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
AOTF6N90	文件：296.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOTF6N90	文件：1.24847 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
AOTF6N90	文件：43.7 Kbytes Page：6 Pages	HVMOSFamilyReport	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
FIR6N90FG	文件：2.0721 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司	FOSTER
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FQA6N90	文件：369.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQA6N90C	文件：331.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=2.0Ω(typ.) ·Enhancementmode: VGS(th)=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·SwitchingVoltageRegulators	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQA6N90C	文件：789.54 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA6N90C	文件：797.3 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA6N90C	文件：611.92 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQAF6N90	文件：772.09 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET Features ?4.5A,900V,RDS(on)=1.9?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical40nC) ?LowCrss(typical17pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB6N90	文件：604.41 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB6N90	文件：596.44 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstanda	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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