零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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SZA6044Z | 5.1GHzto5.9GHz ?WATT POWER AMPLIFIER WITH ACTIVE BIAS | RFMD RF Micro Devices | RFMD | |
5.1GHzto5.9GHz ?WATT POWER AMPLIFIER WITH ACTIVE BIAS | RFMD RF Micro Devices | RFMD | ||
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5.1GHzto5.9GHz ?WATT POWER AMPLIFIER WITH ACTIVE BIAS | RFMD RF Micro Devices | RFMD | ||
JunctionBoxes | PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團 | PENTAIR | ||
Lift-Off-Cover,Type12 | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商 | etc2 | ||
ScrewCover,Type12 | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商 | etc2 | ||
INTELLIGENTPOWERHIGHSIDESWI Description TheAUIPS6044GisquadoutputIntelligentPowerSwitch(IPS)foruseinahighsideconfiguration.Itfeaturesshortcircuit,over-temperature,ESDprotection,inductiveloadcapabilityanddiagnosticfeedback.TheoutputcurrentislimitedtotheIlimvalue.Thecurrentlimitationis | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
INTELLIGENTPOWERHIGHSIDESWITCH | IRF International Rectifier | IRF | ||
SiliconMonolithicIntegratedCircuit | ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團 | ROHM | ||
15SP227/30TCPEPVCComputerCable | GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用電氣公司美國通用電氣公司 | GENERAL | ||
OPERATIONINSTRUCTION | COREBAICoreBai Microelectronics 芯佰微芯佰微電子(北京)有限公司 | COREBAI | ||
Automatedprobemanufacturingenableslowcostandshortleadtime | IRONWOOD Ironwood Electronics. | IRONWOOD | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,110A,RDS(ON)=5.0mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.2mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,85A,RDS(ON)=5.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.5mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,110A,RDS(ON)=5.0mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.2mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,85A,RDS(ON)=5.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.5mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
INTELLIGENTPOWERHIGHSIDESWITCH | IRF International Rectifier | IRF | ||
CMOSQuadMicropowerOperationalAmplifier | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司 | NSC | ||
CMOSQuadMicropowerOperationalAmplifier | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 |
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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MINI |
24+ |
SMD |
3600 |
MINI專營品牌全新原裝正品假一賠十 |
詢價 | ||
QORVO |
19+ |
標準封裝 |
2500 |
詢價 | |||
RFMD |
2021+ |
QFN |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
RFMD |
23+ |
N/A |
7560 |
原廠原裝 |
詢價 | ||
SIRENZA |
23+ |
QFN20 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
SIRENZA |
22+ |
QFN |
6550 |
絕對原裝公司現(xiàn)貨! |
詢價 | ||
RFMD |
22+ |
16QFN |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
SIRENZA |
2022 |
QFN20 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
RFMD |
23+ |
QFN |
3000 |
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價 | ||
RFMD |
NA |
5500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 |
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