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TK10A80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TK10A80W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.46Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.45mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK10A80W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TSN10A80

THYRISTOR-10A800VTO-262

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

VSIB10A80

Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    T10A80E

  • 功能描述：

    硅對稱二端開關元件 80V AXIAL 150A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Bourns 轉折電流

  • VBO：

    40 V 最大轉折電流

  • IBO：

    800 mA

  • 不重復通態(tài)電流：

    額定重復關閉狀態(tài)電壓

  • VDRM：

    25 V

  • 關閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：

    保持電流（Ih

  • 最大值）：

    50 mA

  • 開啟狀態(tài)電壓：

    5 V 關閉狀態(tài)電容

  • CO：

    120 pF

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-214AA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SONOMASCIENTIFICINC
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更多T10A80E供應商 更新時間2025-4-25 11:10:00

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