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GLY10N05

SURFCOILSMTINDUCTORS

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GLZ10N05

SURFCOILSMTINDUCTORS

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GLZP10N05

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MTD10N05E

TMOS4POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

TMOSIV PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode DPAKforSurfaceMountorInsertionMount

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD10N05E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SDD10N05

10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

SDD10N05

DiscreteDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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自己現(xiàn)貨
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MOT
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Cornell-Dubilier
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全新原裝 貨期兩周
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Cornell-Dubilier
2022+
39
全新原裝 貨期兩周
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更多T10N05E供應商 更新時間2025-1-28 16:00:00