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TK7E80W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK7E80W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.795Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.28mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多T7E80XB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 16:00:00

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