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CY7C1360A-150BGC

256K x 36/512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors.TheCY7C1360AandCY7C1362ASRAMsinte

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1360A-150BGC

Package：119-BGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1360A-150AC

256Kx36/512Kx18SynchronousPipelinedBurstSRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors.TheCY7C1360AandCY7C1362ASRAMsinte

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1360A-150AI

256Kx36/512Kx18SynchronousPipelinedBurstSRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors.TheCY7C1360AandCY7C1362ASRAMsinte

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1360A-150AJC

256Kx36/512Kx18SynchronousPipelinedBurstSRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors.TheCY7C1360AandCY7C1362ASRAMsinte

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1360A-150AJI

256Kx36/512Kx18SynchronousPipelinedBurstSRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors.TheCY7C1360AandCY7C1362ASRAMsinte

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1360A-150BGI

256Kx36/512Kx18SynchronousPipelinedBurstSRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors.TheCY7C1360AandCY7C1362ASRAMsinte

CypressCypressSemiconductor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY7C1360A-150BGC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Cypress
23+
119-PBGA(14x22)
71890
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Cypress
23+
22500
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Cypress Semiconductor Corp
23+
119-PBGA14x22
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價
Cypress Semiconductor Corp
23+
119-PBGA14x22
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多CY7C1360A-150BGC供應(yīng)商 更新時間2025-3-4 10:50:00

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