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AD8351	文件：471.25 Kbytes Page：16 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD8351isalowcostdifferentialamplifierusefulinRFandIFapplicationsupto2.2GHz.Thevoltagegaincanbesetfromunityto26dBusingasingleexternalgainresistor.TheAD8351providesanominal150Ωdifferentialoutputimpedance.Theexcellentdistortionpe	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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AD8351ARM	文件：405.83 Kbytes Page：16 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD8351isalowcostdifferentialamplifierusefulinRFandIFapplicationsupto2.2GHz.Thevoltagegaincanbesetfromunityto26dBusingasingleexternalgainresistor.TheAD8351providesanominal150Ωdifferentialoutputimpedance.Theexcellentdistortionpe	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD8351ARM	文件：471.25 Kbytes Page：16 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD8351isalowcostdifferentialamplifierusefulinRFandIFapplicationsupto2.2GHz.Thevoltagegaincanbesetfromunityto26dBusingasingleexternalgainresistor.TheAD8351providesanominal150Ωdifferentialoutputimpedance.Theexcellentdistortionpe	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD8351ARM	文件：478.8 Kbytes Page：19 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier FEATURES?3dBbandwidthof2.2GHzforAV=12dBSingleresistorprogrammablegain:0dB≤AV≤26dBDifferentialinterfaceLownoiseinputstage2.7nV/√HzatAV=10dBLowharmonicdistortion ?79dBcsecondat70MHz ?81dBcthirdat70MHzOIP3of31dBmat70MHzSingle-supplyoperation:	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD8351ARMZ	文件：471.25 Kbytes Page：16 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD8351isalowcostdifferentialamplifierusefulinRFandIFapplicationsupto2.2GHz.Thevoltagegaincanbesetfromunityto26dBusingasingleexternalgainresistor.TheAD8351providesanominal150Ωdifferentialoutputimpedance.Theexcellentdistortionpe	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD8351ARMZ	文件：478.8 Kbytes Page：19 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier FEATURES?3dBbandwidthof2.2GHzforAV=12dBSingleresistorprogrammablegain:0dB≤AV≤26dBDifferentialinterfaceLownoiseinputstage2.7nV/√HzatAV=10dBLowharmonicdistortion ?79dBcsecondat70MHz ?81dBcthirdat70MHzOIP3of31dBmat70MHzSingle-supplyoperation:	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD8351-EVAL	文件：471.25 Kbytes Page：16 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD8351isalowcostdifferentialamplifierusefulinRFandIFapplicationsupto2.2GHz.Thevoltagegaincanbesetfromunityto26dBusingasingleexternalgainresistor.TheAD8351providesanominal150Ωdifferentialoutputimpedance.Theexcellentdistortionpe	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD8351-EVAL	文件：405.83 Kbytes Page：16 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD8351isalowcostdifferentialamplifierusefulinRFandIFapplicationsupto2.2GHz.Thevoltagegaincanbesetfromunityto26dBusingasingleexternalgainresistor.TheAD8351providesanominal150Ωdifferentialoutputimpedance.Theexcellentdistortionpe	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD8351-EVALZ	文件：478.8 Kbytes Page：19 Pages	LowDistortionDifferentialRF/IFAmplifier FEATURES?3dBbandwidthof2.2GHzforAV=12dBSingleresistorprogrammablegain:0dB≤AV≤26dBDifferentialinterfaceLownoiseinputstage2.7nV/√HzatAV=10dBLowharmonicdistortion ?79dBcsecondat70MHz ?81dBcthirdat70MHzOIP3of31dBmat70MHzSingle-supplyoperation:	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
DRV8351DIMPWTSEP	文件：1.32812 Mbytes Page：29 Pages	DRV8351-SEP:40-VThree-PhaseBLDCGateDriver 1Features ?40VThreePhaseHalf-BridgeGatedriver –DrivesN-ChannelMOSFETs(NMOS) –GateDriverSupply(GVDD):5-15V –MOSFETsupply(SHx)supportsupto40V ?TargetRadiationPerformance –SEL,SEB,andSETimmuneuptoLET=43 MeV-cm2/mg –SETandSEFIcharacterizeduptoLET=4	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
DRV8351DMPWTSEP	文件：1.32812 Mbytes Page：29 Pages	DRV8351-SEP:40-VThree-PhaseBLDCGateDriver 1Features ?40VThreePhaseHalf-BridgeGatedriver –DrivesN-ChannelMOSFETs(NMOS) –GateDriverSupply(GVDD):5-15V –MOSFETsupply(SHx)supportsupto40V ?TargetRadiationPerformance –SEL,SEB,andSETimmuneuptoLET=43 MeV-cm2/mg –SETandSEFIcharacterizeduptoLET=4	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
DRV8351-SEP	文件：1.32812 Mbytes Page：29 Pages	DRV8351-SEP:40-VThree-PhaseBLDCGateDriver 1Features ?40VThreePhaseHalf-BridgeGatedriver –DrivesN-ChannelMOSFETs(NMOS) –GateDriverSupply(GVDD):5-15V –MOSFETsupply(SHx)supportsupto40V ?TargetRadiationPerformance –SEL,SEB,andSETimmuneuptoLET=43 MeV-cm2/mg –SETandSEFIcharacterizeduptoLET=4	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
DRV8351-SEPD	文件：1.32812 Mbytes Page：29 Pages	DRV8351-SEP:40-VThree-PhaseBLDCGateDriver 1Features ?40VThreePhaseHalf-BridgeGatedriver –DrivesN-ChannelMOSFETs(NMOS) –GateDriverSupply(GVDD):5-15V –MOSFETsupply(SHx)supportsupto40V ?TargetRadiationPerformance –SEL,SEB,andSETimmuneuptoLET=43 MeV-cm2/mg –SETandSEFIcharacterizeduptoLET=4	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
DRV8351-SEPDI	文件：1.32812 Mbytes Page：29 Pages	DRV8351-SEP:40-VThree-PhaseBLDCGateDriver 1Features ?40VThreePhaseHalf-BridgeGatedriver –DrivesN-ChannelMOSFETs(NMOS) –GateDriverSupply(GVDD):5-15V –MOSFETsupply(SHx)supportsupto40V ?TargetRadiationPerformance –SEL,SEB,andSETimmuneuptoLET=43 MeV-cm2/mg –SETandSEFIcharacterizeduptoLET=4	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
ESD8351	文件：501.14 Kbytes Page：10 Pages	ESDProtectionDiodesLowCapacitanceESDProtectionDiodeforHighSpeedDataLine TheESD8351SeriesESDprotectiondiodesaredesignedtoprotect highspeeddatalinesfromESD.Ultra?lowcapacitanceandlowESD clampingvoltagemakethisdeviceanidealsolutionforprotecting voltagesensitivehighspeeddatalines. Features ?LowCapacitance(0.55pFMax,I/OtoGND)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
ESD8351	文件：292.08 Kbytes Page：10 Pages	ESD8118MUTAG	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
ESD8351	文件：286.97 Kbytes Page：9 Pages	ESDProtectionDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
ILA8351	文件：279.93 Kbytes Page：6 Pages	DC-COUPLEDVERTICALDEFLECTIONCIRCUIT	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL
KKA8351	文件：127.87 Kbytes Page：6 Pages	DC-COUPLEDVERTICALDEFLECTIONCIRCUIT	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI

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晶體管資料

型號(hào)：
TA8351
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Darl
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
40V
最大電流允許值：
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號(hào)：
最大耗散功率：
100W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
E-44
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0
wtest：
100

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	TA8367		24+		750	真實(shí)現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	TA8367	TOSHIBA	24+	ZIP	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
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更多TA8351供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 16:00:00

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