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TAN150分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

TAN150
廠商型號

TAN150
參數(shù)屬性

TAN150 封裝/外殼為55AT；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT
功能描述

150 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT
文件大小

77.91 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-24 11:10:00

TAN150規(guī)格書詳情

TAN150屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的TAN150晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

GENERAL DESCRIPTION

The TAN150 is a high powered COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    TAN150

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    55V

  • 頻率 - 躍遷：

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益：

    7dB

  • 功率 - 最大值：

    583W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 1A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    15A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55AT

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55AT

  • 描述：

    RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT

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