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TC4421集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

TC4421
廠商型號(hào)

TC4421

參數(shù)屬性

TC4421 封裝/外殼為8-VDFN 裸露焊盤(pán);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

功能描述

9A High-Speed MOSFET Drivers
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

封裝外殼

8-VDFN 裸露焊盤(pán)

文件大小

458.95 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microchip Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microchip微芯科技

中文名稱

微芯科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-16 19:00:00

TC4421規(guī)格書(shū)詳情

TC4421屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的TC4421柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

GENERAL DESCRIPTION

The TC4421/4422 are high current buffer/drivers capable of driving large MOSFETs and IGBTs.

They are essentially immune to any form of upset except direct overvoltage or over-dissipation — they can not be latched under any conditions within their power and voltage ratings; they are not subject to damage or improper operation when up to 5V of ground bounce is present on their ground terminals; they can accept, without either damage or logic upset, more than 1A inductive current of

either polarity being forced back into their outputs. In addition, all terminals are fully protected against up to 4 kV of electrostatic discharge.

FEATURES

■ Tough CMOS?Construction

■ High Peak Output Current .................................. 9A

■ High Continuous Output Current ............... 2A Max

■ Fast Rise and Fall Times:

— 30 nsec with 4,700 pF Load

— 180 nsec with 47,000 pF Load

■ Short Internal Delays ............................ 30nsec Typ

■ Low Output Impedance ............................ 1.4W Typ

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TC4421AVMF

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    10A,10A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    38ns,33ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DFN-S(6x5)

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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