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TC511001AJ-80	文件：949.29 Kbytes Page：21 Pages	TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS DESCRIPTION TheTC511001AP/AJ/AZisthenewgenerationdynamicRAMorganized1,048,576wordsby 1bit.TheTC511001AP/AJ/AZutilizesTOSHIBA'sCMOSSilicongateprocesstechnologyas wellasadvancedcircuittechniquestoprovidewideoperatingmargins,bothinternally andtothesystemuser.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
TC51
制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
類別：
電容器 > 鋁電解電容器
系列：
TC
包裝：
散裝
容差：
-10%，+50%
ESR（等效串聯(lián)電阻）：
15.27 歐姆 @ 120Hz
不同溫度時(shí)使用壽命：
85°C 時(shí)為 1000 小時(shí)
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
極化：
極化
應(yīng)用：
通用
大小 / 尺寸：
0.625" 直徑 x 1.125" 長（15.88mm x 28.58mm）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
軸向，
描述：
CAP ALUM 8UF 250V AXIAL

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