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LH531000B

CMOS1M(128Kx8)MROM

DESCRIPTION TheLH531000Bisamask-programmableROMorganizedas131,072×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology. FEATURES ?131,072words×8bitorganization ?Accesstime:150ns(MAX.) ?Lowpowerconsumption: Operating:192.5mW(MAX.) Standby:55

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國夏普微電子公司（SMA）

LH531000B-S

CMOS1M(128Kx8)3V-DriveMROM

DESCRIPTION TheLH531000B-Sisamask-programmableROMorganizedas131,072×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology. FEATURES ?131,072words×8bitorganization ?Accesstime:500ns(MAX.) ?Powerconsumption: Operating:64.8mW(MAX.) Standby:108μ

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國夏普微電子公司（SMA）

TC531000AF

1MBIT(128KWORDX8BIT)CMOSMASKROMSILICONGATECMOS

DESCRIPTION TheTC531000AP/AFisa1,048,576bitsreadonly memoryorganizedas131,072wordsby8bitswithalow bitcost,thusbeingsuitableforuseinprogrammemory ofmicroprocessor,especiallycharactergenerator.The TC531000AP/AFusingCMOStechrologyismost suitableforlowpower

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TC531000AP

1MBIT(128KWORDX8BIT)CMOSMASKROMSILICONGATECMOS

DESCRIPTION TheTC531000AP/AFisa1,048,576bitsreadonly memoryorganizedas131,072wordsby8bitswithalow bitcost,thusbeingsuitableforuseinprogrammemory ofmicroprocessor,especiallycharactergenerator.The TC531000AP/AFusingCMOStechrologyismost suitableforlowpower

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TC531000P供應商 更新時間2024-12-27 16:50:00

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