TC58BYG2S0HBAI6_集成電路(IC) 存儲(chǔ)器-Kioxia America, Inc.

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  • 廠家型號(hào):

    TC58BYG2S0HBAI6

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    163

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) 存儲(chǔ)器

  • 封裝外殼:

    67-VFBGA

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-31 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):TC58BYG2S0HBAI6品牌:Kioxia America, Inc.

資料說(shuō)明:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

TC58BYG2S0HBAI6是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝67-VFBGA的TC58BYG2S0HBAI6存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性?xún)煞N,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào):

    tc58byg2s0hbai6

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠下載 下載

  • 資料說(shuō)明:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TC58BYG2S0HBAI6

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    Benand?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    67-VFBGA(6.5x8)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
16+
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