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TC58NYG1S3HBAI6集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

TC58NYG1S3HBAI6
廠商型號

TC58NYG1S3HBAI6

參數(shù)屬性

TC58NYG1S3HBAI6 封裝/外殼為67-VFBGA;包裝為散裝;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

功能描述

NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity)

封裝外殼

67-VFBGA

文件大小

67.28 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 15:03:00

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TC58NYG1S3HBAI6規(guī)格書詳情

Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TC58NYG1S3HBAI6

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    散裝

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    67-VFBGA(6.5x8)

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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