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74VHC08	文件：199.56 Kbytes Page：9 Pages	Quad2-InputANDGate	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
74VHC08	文件：226.83 Kbytes Page：11 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
74VHC08	文件：53.36 Kbytes Page：7 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE DESCRIPTION The74VHC08isanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. Theinternalcircuitiscomposedof2stagesincludingbufferoutput,whichprovideshighnoiseimmunityandstableoutput. ■HIGH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
74VHC08	文件：75.58 Kbytes Page：7 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription The74VHC/VHCT08isanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highnoiseimmunity:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
74VHC08	文件：148.79 Kbytes Page：8 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE DESCRIPTION The74VHC08isanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. Theinternalcircuitiscomposedof2stagesincludingbufferoutput,whichprovideshighnoiseimmunityandstableoutput. ■HIGH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
74VHC08	文件：580.17 Kbytes Page：6 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHC08isanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■HighSpeed:tPD=4.3ns(Typ.)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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74VHC08	文件：270.94 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHC08isanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGate fabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthe high?speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTL whilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Theinternalcircuitiscomposedof4s	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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