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TDTA114E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

TDTA114E
廠商型號

TDTA114E

參數(shù)屬性

TDTA114E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

功能描述

Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type

絲印標識

YB

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

229.23 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-3 14:36:00

TDTA114E規(guī)格書詳情

1. Applications

? Switching

? Inverter Circuits

? Driver Circuits

2. Features

(1) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce

system size and assembly time.

(2) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.

(3) Complementary to TDTC114E

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TDTA114E,LM

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
24+
SOT-23
900975
只做全新原裝正品現(xiàn)貨 假一罰十
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ROHM
23+
原廠封裝
12335
詢價
24+
110
本站現(xiàn)庫存
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SAMSUNG
2023+
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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TOSHIBA/東芝
23+
SOT23
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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54000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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TOSHIBA/東芝
23+
SOT23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原廠原裝
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只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
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MODULE
756
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談
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TOSHIBA/東芝
2022
SOT23
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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