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TGA1307-EPU	文件：745.24 Kbytes Page：7 Pages	KaBandLowNoiseAmplifier KeyFeaturesandPerformance ?0.25umpHEMTTechnology ?23-29GHzFrequencyRange ?3.1dBNominalNoiseFigure28GHz ?17dBNominalGain ?OTOI>22dBm ?5V,50mASelf-Bias PrimaryApplications ?Point-to-PointRadio ?Point-to-MultipointCommunications	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TZ1307A	文件：71.2 Kbytes Page：5 Pages	HC49USDIP17.664MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: HC49UScrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VB1307N	文件：651.4 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBA1307	文件：602.75 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBA1307A	文件：606.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBC1307	文件：453.83 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET??PowerMOSFET ?100%RgTested ?100%UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?NotebookSystemPower ?LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBE1307	文件：615.45 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBE1307	文件：628.3 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBE1307A	文件：677.24 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBL1307	文件：849.82 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)175?CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBL1307	文件：863.06 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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深圳市紐聯(lián)電子有限公司	TE1307/DD	VISHAY/威世			1000	全新原裝現(xiàn)貨樣品可售	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	TE1307E	VISHAY(威世)	23+	插件,D9xL24mm	7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價(jià)
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