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TF408-3-TL-H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
TF408-3-TL-H |
| 參數(shù)屬性 | TF408-3-TL-H 封裝/外殼為3-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 10MA 30MW USFP |
| 功能描述 | N-Channel JFET |
| 封裝外殼 | 3-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
320.55 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-10 20:00:00 |
| 人工找貨 | TF408-3-TL-H價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
TF408-3-TL-H規(guī)格書詳情
TF408-3-TL-H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的TF408-3-TL-H晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會增加電流流動的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
TF408-3-TL-H
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
卷帶（TR）
- FET 類型：
N 通道
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：
4pF @ 10V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
3-USFP
- 描述：
JFET N-CH 10MA 30MW USFP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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ON(安森美) |
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