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TF5N10

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description TheTF5N10usesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasaBatteryprotection orinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=100VID=5A RDS(ONty

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

EMBA5N10A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)150mΩ ID10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMBA5N10AS

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMBA5N10CS

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)150mΩ ID10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMBA5N10G

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)150mΩ ID4A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMBA5N10V

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)150mΩ ID8A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMBB5N10P

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)280mΩ ID2.4A UIS100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMBB5N10Q

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)250mΩ ID3A UIS100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMDA5N10A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)150mΩ ID10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMDA5N10F

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)150mΩ ID10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

LMTL5N10

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

MTBA5N10FP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTBA5N10FP-K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTD5N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PJW5N10

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

PJW5N10

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@2.5A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

PJW5N10A

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@4A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

PJW5N10-AU

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

?RDS(ON),VGS@10V,ID@2.5A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多TF5N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 16:48:00

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