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TGI5059-120L

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ?BROADBANDINTERNALLYMATCHEDHEMT ?HIGHPOWER Pout=51.0dBmatPin=42.0dBm ?HIGHGAIN GL=13.5dBatPin=20.0dBm ?LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)=-25dBcatPout=44.0dBm SingleCarrierLevel ?HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TGI5059-120L供應商 更新時間2025-1-25 8:00:00