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TH58NVG5S0FTA20集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
TH58NVG5S0FTA20 |
| 參數(shù)屬性 | TH58NVG5S0FTA20 封裝/外殼為48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC FLSH 32GBIT PARALLEL 48TSOP I |
| 功能描述 | 32 GBIT (4G ? 8 BIT) CMOS NAND E2PROM |
| 文件大小 |
677.82 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
73 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-1 11:10:00 |
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32 GBIT (4G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
DESCRIPTION
The TH58NVG5S0F is a single 3.3V 32 Gbit (36,305,895,424 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 232) bytes × 64 pages × 16384 blocks. The device has two 4328-byte static registers which allow program and read data to be transferred between the register and the memory cell array in 4328-byte increments. The Erase operation is implemented in a single block unit (256 Kbytes + 14.5 Kbytes: 4328 bytes × 64 pages).
The TH58NVG5S0F is a serial-type memory device which utilizes the I/O pins for both address and data input/output as well as for command inputs. The Erase and Program operations are automatically executed making the device most suitable for applications such as solid-state file storage, voice recording, image file memory for still cameras and other systems which require high-density non-volatile memory data storage.
FEATURES
? Organization
x8
Memory cell array 4328 × 256K × 8 × 4
Register 4328 × 8
Page size 4328 bytes
Block size (256K + 14.5K) bytes
? Modes
Read, Reset, Auto Page Program, Auto Block Erase, Status Read, Page Copy,
Multi Page Program, Multi Block Erase, Multi Page Copy, Multi Page Read
? Mode control
Serial input/output
Command control
? Number of valid blocks
Min 16064 blocks
Max 16384 blocks
? Power supply
VCC = 2.7V to 3.6V
? Access time
Cell array to register 30 μs max
Serial Read Cycle 25 ns min (CL=100pF)
? Program/Erase time
Auto Page Program 300 μs/page typ.
Auto Block Erase 3 ms/block typ.
? Operating current
Read (25 ns cycle) 30 mA max.
Program (avg.) 30 mA max
Erase (avg.) 30 mA max
Standby 200 μA max
? Package
TSOP I 48-P-1220-0.50C
? 4bit ECC for each 512Byte is required.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
TH58NVG5S0FTA20
- 制造商：
Kioxia America, Inc.
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類型：
非易失
- 存儲(chǔ)器格式：
閃存
- 技術(shù)：
FLASH - NAND（SLC）
- 存儲(chǔ)容量：
32Gb（4G x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
25ns
- 電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
48-TSOP I
- 描述：
IC FLSH 32GBIT PARALLEL 48TSOP I
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TSOP |
11200 |
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詢價(jià) | ||
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24+ |
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詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TSOP48 |
50000 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TOSHIBA(東芝) |
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TOSHIBA/東芝 |
2023+ |
TSOP |
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詢價(jià) | ||
Toshiba Semiconductor and Stor |
22+ |
48TSOP I |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
24+ |
TSOP |
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詢價(jià) |
