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TH58NYG3S0HBAI6

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

KIOXIAKIOXIA Corporation

鎧俠鎧俠株式會社

TH58NYG3S0HBAI6

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TH58NYG3S0HBAI6

Package：67-VFBGA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    TH58NYG3S0HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    8Gb（1G x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    67-VFBGA

  • 供應商器件封裝：

    67-VFBGA（6.5x8）

  • 描述：

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TH58NYG3S0HBAI6供應商 更新時間2025-1-16 14:36:00

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