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THBT200電路保護的TVS-晶閘管規(guī)格書PDF中文資料

THBT200
廠商型號

THBT200

參數(shù)屬性

THBT200 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為電路保護的TVS-晶閘管;產(chǎn)品描述:THYRISTOR 180V 30A 8SOIC

功能描述

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION
THYRISTOR 180V 30A 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

66.09 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-3 22:58:00

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THBT200規(guī)格書詳情

THBT200屬于電路保護的TVS-晶閘管。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的THBT200TVS - 晶閘管基于晶閘管的瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 器件可用于提供過壓保護,在正常工作條件下近似于開路。在這些器件兩端施加超過某個特定值的電壓(稱為擊穿電壓),可使它們進入近似于短路的導(dǎo)通狀態(tài)。?這種狀態(tài)一直持續(xù)至流過器件的電流因電路中的一些外部影響而降低到稱為“保持電流”的最小值以下。

DESCRIPTION

This monolithic protection device has been especiallydesigned to protectsubscriber line cards.The THBT200 device is particularly suitable to protect ring generator relay against transient overvoltages.

FEATURES

■ DUAL BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION.

■ PEAK PULSE CURRENT : - IPP = 75 A, 10/1000 μs.

■ HOLDING CURRENT = 150 mA min

■ BREAKDOWN VOLTAGE = 200 V min.

■ BREAKOVERVOLTAGE = 290 V max.

■ MONOLITHIC DEVICE.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    THBT20011DRL

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    電路保護 > TVS - 晶閘管

  • 系列:

    THBT, TRISIL?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 電壓 - 導(dǎo)通:

    290V

  • 電壓 - 斷態(tài):

    180V

  • 電容:

    80pF

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 描述:

    THYRISTOR 180V 30A 8SOIC

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