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THN6501	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501E	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501E	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGe NPN Transistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501F	文件：189.85 Kbytes Page：11 Pages	SiGe NPN Transistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighGain MAG=11.5dBatf=1GHz,VCE=10V,IC=20mA oHighTransitionFrequency fT=7GHzatf=1GHz,VCE=10V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501S	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501S	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGe NPN Transistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501U	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501U	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGe NPN Transistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501Z	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501Z	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGe NPN Transistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
TM6501	文件：71.34 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TM6501	文件：70.4 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
TMR6501	文件：412.73 Kbytes Page：5 Pages	SingleChannelTMRMagneticPatternRecognitionSensor FeaturesandBenefits ?Highsensitivityandexcellentgapperformances ?Outputvoltageisindependentofscanningspeed ?Differentialoutput,highCMRRperformance ?Singlechanneldetection,5mmdetectionwidth ?Compactsize:L10.5mmxW8mmxH9.6mm ?Simplestructureforlowcostso	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多維科技江蘇多維科技有限公司	MULTIDIMENSION
TN6501	文件：71.34 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TPC6501	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPC6501	文件：175.18 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPC6501	文件：148.62 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconNPNEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TSHA6501	文件：114.26 Kbytes Page：6 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs Description TheTSHA650.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Incontras	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
UM6501	文件：402.88 Kbytes Page：12 Pages	Multi-lineESD/EMIProtectionsforSignalLines	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英聯(lián)英聯(lián)半導(dǎo)體股份有限公司	UNIONSEMI
USB-6501	文件：301.89 Kbytes Page：5 Pages	Small,portabledigitalI/Odevice/24digitalI/Olines,one32-bitcounter	NI National Instruments Inc.	NI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
THN6501
制造商：
TACHYONICS
制造商全稱：
TACHYONICS
功能描述：
NPN SiGe RF TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	THN6501	AUK	23+	SOT343-4	11200	原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO	詢價(jià)
深圳市力通偉業(yè)半導(dǎo)體有限公司	THN6501S		13+	SOT23	3250	特價(jià)熱銷現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	THN6501S	AUK	2016+	SOT-23	3500	只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	THN6501S	TACHYONICS	24+	SOT23	11000		詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	THN6501S	TI	2020+	SOT-23	35000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	THN6501U	AUK	1742+	SOT323	98215	只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!	詢價(jià)
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深圳市振宏微科技有限公司	THN6501E	SOD-523	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	THN6501F	AUK	23+	SOT-89	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多THN6501供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 14:59:00

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