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TIP137G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TIP137G
廠商型號

TIP137G

功能描述

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件大小

61.1 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 20:00:00

TIP137G規(guī)格書詳情

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

Designed for general?purpose amplifier and low?speed switching applications.

Features

? High DC Current Gain ?

hFE = 2500 (Typ) @ IC

= 4.0 Adc

? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 30 mAdc

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) ? TIP131

= 100 Vdc (Min) ? TIP132, TIP137

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc

= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TIP137G

  • 功能描述:

    達林頓晶體管 4A 100V Bipolar Power PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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