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DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
SILICONPLANARDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowFrequencySwitchingApplications TO-3PNNonIsolated PlasticPackage | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | ||
DesignedforComplementaryUsewithTIP145,TIP146andTIP147 | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | ||
NPNEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors | TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD. | TAI-SAW | ||
MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147 | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
絕緣(ISO)
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BDT63A,BDT63B,BDT63C,BDW93B,BDW93C,BDX33B...E,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
B-70
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
50
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ON |
25+23+ |
TO-218 |
16457 |
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詢價 | ||
ONS |
2018+ |
26976 |
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詢價 | |||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
ON |
23+ |
NA |
60 |
原裝現(xiàn)貨 庫存特價/長期供應(yīng)元器件代理經(jīng)銷 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
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ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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TO-218 |
50000 |
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