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TIP141G

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

TIP141G

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

TIP141NPN

SILICONPLANARDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowFrequencySwitchingApplications TO-3PNNonIsolated PlasticPackage

CDIL

Continental Device India Limited

TIP141-S

DesignedforComplementaryUsewithTIP145,TIP146andTIP147

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TIP141T

NPNEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

TIP141T

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

TIP141T

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TIP141FTU

  • 功能描述：

    達(dá)林頓晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

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更多TIP141FTU供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 16:49:00

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