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NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | ||
SiliconNPNPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647 | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor *Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) *HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A *LowSaturationVoltage *ComplementtoTypeBD648 | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | ||
SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
UHFpowerLDMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodelateralD-MOSpush-pulltransistorinaSOT540Apackagewithceramiccap.Thecommonsourceisconnectedtothemountingflange. FEATURES ?Highpowergain ?Easypowercontrol ?Excellentruggedness ?SourceonundersideeliminatesDCisolators | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BDX66B,BDX88C,MJ4032,2N6052,2N6287,
- 最大耗散功率：
175W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
175
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
TIP647
- 制造商：
TI
- 制造商全稱(chēng)：
Texas Instruments
- 功能描述：
PNP DARLINGTON CONNECTED SILICON POWER TRANSISTORS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIX |
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TO-3 |
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ON |
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TO-3 |
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