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TMUX8211PWR

TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic

1Features ?Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation ?Consistentparametricsacrosssupplyvoltages ?Latch-upimmune ?Highcontinuouscurrent:200mA ?Lowcrosstalk:–110dB ?Lowinputleakage:10pA

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TMUX8211PWR

TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic

1Features ?Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation ?Consistentparametricacrosssupplyvoltages ?Latch-upimmune ?Highcontinuouscurrent:200mA ?Lowcrosstalk:–110dB ?Lowinputleakage:10pA

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TMUX8211PWR

TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic

1Features ?Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation ?Consistentparametricacrosssupplyvoltages ?Latch-upimmune ?Highcontinuouscurrent:200mA ?Lowcrosstalk:–110dB ?Lowinputleakage:10pA

TI1Texas Instruments

德州儀器

TMUX8211RUMR

TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic

1Features ?Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation ?Consistentparametricacrosssupplyvoltages ?Latch-upimmune ?Highcontinuouscurrent:200mA ?Lowcrosstalk:–110dB ?Lowinputleakage:10pA

TI1Texas Instruments

德州儀器

TPC8211

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPC8211

LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCS8211

LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCS8211

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=16m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=11S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

UPC8211TK

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

DESCRIPTION TheμPC8211TKisasilicongermanium(SiGe)monolithicintegratedcircuitdesignedaslownoiseamplifierforGPSandmobilecommunications. Thepackageis6-pinlead-lessminimold,suitableforsurfacemount. ThisICismanufacturedusingour50GHzfmaxUHS2(UltraHighSpeedProc

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPC8211TK

SiGeLOWNOISEAMPLIFIERFORGPS/MOBILECOMMUNICATIONS

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TISP8211MD

  • 功能描述：

    SCR +20mA High Hold current

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流

  • IBO：

    480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓

  • VDRM：

    600 V

  • 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：

    5 uA

  • 開啟狀態(tài)：

    RMS

  • 正向電壓下降：

    1.6 V

  • 柵觸發(fā)電壓(Vgt)：

    1.3 V

  • 最大柵極峰值反向電壓：

    5 V

  • 柵觸發(fā)電流(Igt)：

    35 mA 保持電流（Ih

  • 最大值）：

    75 mA

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-220

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TISP8211MD供應(yīng)商 更新時間2025-3-14 22:58:00

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